Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур Ø50 мм методом жидкофазной эпитаксии для излучающих диодов ИК области спектра

Область применения: Cистемы связи по оптическому каналу, изделия медицинской техники, автомобилестроение, системы безопасности и контроля доступа и т.п.
Аннотация: Разработка и организация производства параметрического ряда эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия излучателей ближнего ИК-диапазона для систем связи по оптическому каналу, изделий медицинской техники, автомобилестроения, систем безопасности и контроля доступа и т.п. Многопроходные эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs Ø50 мм, полученные методом жидкофазной эпитаксии. Диапазон излучающего спектра – 660 – 920 нм
Объект интеллектуальной собственности: изобретение
Стадия освоения разработки: Организовано опытное производство.
Формы сотрудничества: Потребление материала.
Название предприятия: "Калужский центр научно-технической информации"
Статус: юридическое лицо
Адрес: 103074, Москва, пл. Славянская, 4, корпус 2
Телефон: +7 (4842) 57-80-11
Факс: +7 (4842) 57-80-11
E-mail: iKolesnikova@cnti.qkaluga.ru
Адрес Web: www.cnti.kaluga.ru
Регион: Москва, Центральный округ